水分對半導(dǎo)體制造的影響：
 

　　水可能是所有生命的基礎(chǔ)，但當(dāng)涉及到半導(dǎo)體制造等專業(yè)過程時，它通常是過程中不想要的化合物之一。
 

　　水蒸氣的存在不僅在技術(shù)方面，而且對商業(yè)成果都有非常重要的影響。即使是很少量的水蒸氣也會在晶片表面帶入雜質(zhì)或?qū)е卵趸?，從而會對半?dǎo)體器件的電特性產(chǎn)生不利影響。這可能導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低、生產(chǎn)成本增加和制造時間延長，直接影響盈利能力和市場競爭力。
 

　　在光刻、沉積和蝕刻等關(guān)鍵工藝過程中，對濕度和水蒸氣的精確控制對于保持半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)完整性和實現(xiàn)所需的產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。水蒸氣的有效管理不僅對于維護半導(dǎo)體器件所需的高性能標準和可靠性至關(guān)重要，而且對于確保高效的生產(chǎn)工藝、有力地減少浪費和保持強大的市場競爭地位也至關(guān)重要。
 

　　化學(xué)氣相沉積中的水分污染：
 

　　化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體行業(yè)中廣泛使用的技術(shù)。它涉及氣相前體的化學(xué)反應(yīng)，這些前體在基底表面分解或反應(yīng)以產(chǎn)生固體材料，形成薄膜或涂層。
 

　　水分污染直接影響沉積膜的純度和完整性。即使是很低的濕度水平也會在基底上引入不需要的羥基或催化氧化，導(dǎo)致膜中的瑕疵，對器件性能產(chǎn)生不好影響。這種瑕疵可導(dǎo)致電不穩(wěn)定性、介電強度降低或折射率變化，嚴重損害半導(dǎo)體器件的功能。
 

　　為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，在CVD過程中實施全面的水分控制和減緩策略很重要。關(guān)鍵策略包括使用嚴格的干氣吹掃、先進的真空系統(tǒng)以及結(jié)合干燥劑來消除水分。此外，使用冷鏡式露點儀可以幫助準確監(jiān)測CVD環(huán)境中的水分。這種策略的組合對于確保沉積符合半導(dǎo)體器件生產(chǎn)所需的嚴格標準的高質(zhì)量薄膜至關(guān)重要。
 

　　等離子體蝕刻中的水分污染：
 

　　選擇性蝕刻，通常在光刻階段之后，對于創(chuàng)建電路設(shè)計所必需的精確亞微米形狀和圖案至關(guān)重要。該過程涉及使用蝕刻劑氣體，特別是全氟化合物(FFCs)，其在晶片基底上方的氬等離子體中被激活。這些氣體與半導(dǎo)體晶片上的特定材料進行選擇性反應(yīng)，精心雕刻出器件功能所需的復(fù)雜電路圖案。
 

　　水分的存在會顯著影響等離子體的形成，從而影響蝕刻質(zhì)量。因此，在將FFC引入蝕刻機或CVD室之前，連續(xù)監(jiān)測FFC中的水分含量被認為是很好的方式。
 

　　此外，等離子體氣體，包括鹵化物和三氟化氮，也用于腔室清潔。然而，即使是微量水分也會影響等離子體質(zhì)量和清潔過程的效率。因此，密切監(jiān)測水分水平對于保持蝕刻和清潔階段的完整性至關(guān)重要，以確保高質(zhì)量的生產(chǎn)結(jié)果。
 

　　半導(dǎo)體制造用水分測量儀：
 

　　PST提供了一系列傳感器和分析儀，用于在半導(dǎo)體制造過程的一系列關(guān)鍵階段測量水分。其中包括露點變送器，如EA2-TX-100，它能夠檢測-110至+20°Cdp之間的露點，精度為±2°Cdp，以及我們的QMA401，它采用石英晶體微平衡，靈敏度為0.1 ppmV，非常適合用于CVD和蝕刻室。
 

　　我們的新產(chǎn)品S8000 RS是一款全自動冷鏡露點儀，旨在提高在苛刻條件下微量水分測量的速度、精度和靈活性。S8000 RS具有高精度，在溫度低至-90°Cfp時保持±0.1°C的精度。它在應(yīng)用中表現(xiàn)出了優(yōu)異的穩(wěn)定性和再現(xiàn)性，在-90°Cfp時很小的變化為±0.05°Cdp，在-80°Cfp時進一步低至±0.025°Cdp。
 

　　通過使用復(fù)雜的鍍金銅鏡，該設(shè)備的精度顯著提高。這與精確的冷卻和動態(tài)污染修正一起，確保形成一致的冷凝層，有助于準確可靠的測量。
 

　　我們新款露點儀型號配備了各種通信選項，包括通過USB、TCP/IP的Modbus RTU和4…20mA接口，以及直接到標準SD卡的內(nèi)部數(shù)據(jù)記錄功能。與我們提供的每一款產(chǎn)品一樣，S8000 RS擁有一套全面的技術(shù)和售后服務(wù)支持，確保我們的客戶能夠獲得必要的幫助以獲得很好的性能。